技术编号:10472561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 例如日本特开2007-42513号公报(专利文献1)中记载的沈M,将较细地集中的电子 束作为探针一边向试样照射一边扫描该电子束照射位置,通过检测器检测对应于电子束照 射而在试样的各位置产生的电子(二次电子或反射电子)。通过运种电子检测,SEM可W进行 试样的表面分析。SBl与光学显微镜相比,在放大率运方面具有特长,作为使半导体掩模图 形检查等的纳米级的微细结构可视化的装置是不可或缺的。 当向试样照射电子束时,自该试样产生二次电子或反射电子。二次电子是自试...
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