技术编号：10472571
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在某些半导体器件的制造工艺过程中，晶圆的后段金属互连线层的金属层间介质层(MD)通常会含氟元素，例如通常采用氟硅玻璃(FSG)作为金属层间介质层。其中，铝焊垫(Al Pad)通常形成于最后一层的金属层间介质层上；在形成铝焊垫之后会在金属层间介质层及铝焊垫上形成一层钝化层(PAS)，接着对钝化层进行钝化层刻蚀(PAS ETCH)，暴露出铝焊垫以方便后续进行连线；接着采用湿法去除(WET STRIP)进行清洗；最后对钝化层进行合金化处理(PAS Alloy)，...
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