技术编号:10472627
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对于目前要求气密性封装的光器件来说,通常需要在DPC陶瓷基板上设置有围坝,利用围坝所围构形成的空间可填充封装胶水,从而实现更好的气密性。现有技术中,通常是采用金属围坝并利用焊料直接焊接在镀铜的DPC陶瓷基板上,这种方式虽然能够实现围坝与DPC陶瓷基板的焊接连接,然而,由于铜的熔点较高,往往这种封装需要800°C以上的高温才能将围坝焊接在DPC陶瓷基板上,这种高温对于DPC陶瓷基板来说是一个很大的考验,严重影响产品的品质,并且这种高温的焊接方式既耗能,又不利...
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