技术编号：10476028
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。集成电路中的接触件和第一级互连件可以通过利用光刻法定义待蚀刻的区域来形成。例如，接触件可以通过以下步骤来形成曝光接触光敏层中的接触区，然后对接触光敏层进行显影以形成接触蚀刻掩模，随后蚀刻介电层以形成接触孔并且使用接触金属填充接触孔。类似地，可以通过曝光互连光敏层中的互连区且随后对第一级互连光敏层进行显影以形成沟槽蚀刻掩模而在接触件之上形成金属第一级互连件。可能期望使用光刻设备来曝光接触光敏层和互连光敏层，其具有大于一些接触件和/或一些第一级互连件之间的间距...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。