技术编号:10476036
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。已经提出了利用结型场效应晶体管的成像装置。专利文献(PTL)I描述了包括多个像素的成像装置。每个像素包括结型场效应晶体管。在PTL I中描述的结型场效应晶体管中,沟道区置于表面栅极区和埋入栅极区之间。沟道区被连接到位于埋入栅极区端部处的漏极区。PTL 2描述了用于形成结型场效应晶体管的方法。在PTL I中描述的方法中,结型场效应晶体管的表面栅极区、沟道区以及源极区和漏极区通过采用不同的抗蚀剂图案作为掩模的离子注入来形成。引文列表专利文献PTL 1日本专利特...
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