技术编号：10476038
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在US8212283B2中，如描述采用双模式绝缘栅晶体管(BIGT)形式的现有技术的反向传导绝缘栅双极晶体管(RC-1GBT)(在图1中示出)，其包括在共同晶圆100上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管(IGBT)，所述晶圆的部分形成具有第一掺杂浓度和基极层厚度102的(n_)掺杂基极层101AC-1GBT包括集电极侧103和发射极侧104，而集电极侧103布置在晶圆100的发射极侧104的对面。基极层厚度102是具有第一掺杂浓度的晶圆100的那个部分的集电极...
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