技术编号:10479360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。MoSe2是一种窄带隙的过渡金属硫系化合物,同时是一种典型的二维层状半导体材料,层与层之间由微弱的范德华力结合在一起。近年来,新型二维半导体材料迅速成为材料科学领域的研究前沿,MoSe2相较于其它二维层状材料,其具有更小的带隙和极好的迀移率特性,使得MoSe2在锂离子电池、光催化、低维光电子器件平台等方面都有着广泛的应用。另一方面,金红石相的T12是一种宽禁带的金属氧化物,是一种易通过化学方法合成制备半导体材料。近年来,科研人员已经开始考虑基于各种不同形貌...
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