一种tsv微盲孔表面电流密度的测定方法及系统的制作方法技术资料下载

技术编号:10487342

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集成电路技术随着摩尔定律而快速发展,更高的电路集成密度催生了更高的互连密度,并带来后道互连方式和封装技术上的全面变革。以TSV(Through Silicon Via,硅通孔)互连为核心的三维集成封装成为提升器件性能和性价比的必然选择。三维集成是将不同功能的芯片(如存储器、处理器等)堆叠、集成为一个多功能系统的过程。三维集成的一种方案是采用贯穿硅衬底的大量高密度TSV(深宽比达10-20),实现了堆叠芯片之间的垂直上下互连,形成高密度三维集成,带来“高密度...
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