一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法技术资料下载

技术编号:10490623

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干法刻蚀是半导体工艺中最重要的技术之一,其目的是完整将掩膜图形复制到硅片表面,其范围涵盖前段CMOS栅极大小的控制以及后段金属通孔以及沟槽的刻蚀。在今天没有一个集成电路芯片能在缺乏等离子体刻蚀技术情况下完成。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的是在旋涂光阻的硅片上正确地复制掩膜图形。有图形的光阻层在刻蚀中不受刻蚀源显著的侵蚀。这层掩膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光阻保护的区域。在通常的CMO...
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