技术编号:10490674
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。传统的体Si材料的载流子迀移率很难满足未来高性能半导体器件和电路的需求。半导体Ge的电子与空穴迀移率分别是Si的2.8倍和4.2倍,其空穴迀移率是所有半导体中最高的。Ge还是优异的光电材料,在可见光到近红外探测器、调制器、光波导、光发射器、太阳电池等方面有着极为广泛的应用。由于禁带宽度只有0.67eV,Ge器件与电路的漏电较大。GeOI,即绝缘层上锗,是一种具有“Ge/埋绝缘层/Si”三层结构的Si基半导体衬底材料,其中埋绝缘层阻碍了电流泄漏,解决了 Ge...
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