技术编号：10490706
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及半导体器件的制造，且更具体地说是涉及具有带有降低了的栅极电阻的接触结构的半导体器件。提供如信号传递的电传导线在电子器件和半导体集成电路(IC)器件中是必要的。通过在所需要位置中的导电插塞连接不同层上的的导线从而提供预期的作用。半导体制造工艺中的连续进步带来了具有更好部件和/或更高集成程度的半导体器件。半导体器件包括的各个部件中，接触结构通常提供电路器件和/或互连层之间的电连接。含有接触结构的典型半导体器件具有半导体衬底上的栅极结构和半导体衬...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。