技术编号：10490775
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有的高耐压GaN HEMT结构主要为横向器件，器件基本结构如图1所示。器件主要包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势皇层以及AlGaN势皇层上形成的源极、漏极和栅极，其中源极和漏极与AlGaN势皇层形成欧姆接触，栅极与AlGaN势皇层形成肖特基接触。但是对于横向GaN HEMT而言，在截止状态下，从源极注入的电子可以经过GaN缓冲层到达漏极，形成漏电通道，过大的缓冲层泄漏电流会导致器件提前击穿，无法充分发挥GaN材料的高耐压优势，从而限制GaN HEMT在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。