技术编号：10490780
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中，为获得良好的噪声抑制能力，通常将某些元器件(例如模拟器件)设置于位于半导体衬底内的隔离框之中。其中，图1示出了现有技术中采用隔离框的半导体器件的一种剖视图。如图1所示，该半导体器件包括半导体衬底100、位于半导体衬底100内的由嵌入式离子注入层101和位于深沟槽内的掺杂多晶硅层102构成的隔离框以及位于该隔离框内的电子元件103。其中，在嵌入式离子注入层101与掺杂多晶硅层102相交的位置通常形成结(junct1n)结构，如图1所示。人们通常将...
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