技术编号:10490844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现今,发光二极管(LED),特别是氮化物发光二极管因其较高的发光效率,在普通照明领域已取得广泛的应用。因氮化物发光二极管的底层存在缺陷,导致生长量子阱时缺陷延伸会形成V形坑。缺陷会形成非辐射复合中心,引起非辐射复合,但是,一定数量的V形坑又会使多量子阱形成局域量子态,提升量子效应,提升发光二极管的发光效率和发光强度。因此,氮化物发光二极管的V形坑密度不能太高,否则会产生大量非辐射复合中心,引起亮度下降,同时,V形坑密度又不能过低,否则,多量子阱的局域量子态...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。