技术编号：10490852
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 Lm)因具有色纯度高、响应速度快、体积小、可靠性好、寿命长、环保等优点，无疑成 为最受重视的光源技术。如何提高及发光效率是一直W来的研究重点。 Lm)的发光效率主要有=方面因素器件的内量子效率、载流子注入效率和光出射 效率。对GaN基L抓的器件而言，通过改善量子阱、异质结构载流子限制效应W及量子限制斯 塔克效应和提高空穴的注入和降低电子的泄漏已将内量子效率、载流子注入效率已达较高 水平，而相对前两者其光出射效率受制于全反射，仅有极少部分光可逃逸。所W如何...
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