技术编号：10494319
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 以往，在IC或LSI等半导体器件的制造工艺中，通过使用光致抗蚀剂组合物的光刻 来进行微细加工，且正进行适合于各种光刻技术的树脂或添加剂的开发。例如，在专利文献 1及专利文献2中公开有一种适合于光刻技术的添加剂。 近年来，随着集成电路的高集成化，开始要求形成亚微米(submicron)区域或四分 之一微米(quarter micron)区域的超微细图案。伴随于此，发现曝光波长也自g射线短波长 化为i射线，进而短波长化为准分子激光束的倾向，目前，也正进行使用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。