技术编号:10494527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 氮化物半导体由通式InxA;LyGal-x-yN(0<x。、0<y。、0<x+y。)表示。该氮化 物半导体根据其组分的不同能够使带隙在1.95eV~6eV的范围内变化,因此作为从紫外线 区到红外线区的宽波长范围的发光器件的材料被研究开发而被实际使用。 此外,使用了氮化物半导体的控制器件被用于高频且高功率地动作的功率元件 等,其中,作为适于高频波段中的增幅的控制器件,已知例如高电子迁移率场效应晶体管 化EMT)等的阳T。 作为W往的氮化物...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。