技术编号:10494565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利US 7,816,653、US 8,148,760和US 8,288,837(它们均结合于此作为参考)公开了具有所谓的经修改的内栅极(MIG)的半导体辐射探测器。MIG是半导体辐射探测的内部部件,其中收集辐射引起的信号电荷,使得所得到的MIG中的净电荷在位于其上方的像素的电特性中引起可测量的效应。这种效应的实例是像素特定的晶体管的沟道或基极的电流承载能力的变化。势皇层将MIG与所述像素分离。当适当偏置时,其组成势能势皇,这保持MIG层中累积的信号电荷不...
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