技术编号：10502648
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。光刻技术是指在光照作用下，借助光致刻蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上;最后利用刻蚀技术或镀膜技术将图形转移到基片上。传统的光刻工艺所针对的光刻胶厚度多为亚微米、微米、十微米量级，而图形平面内尺寸大多远大于厚度尺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。