技术编号:10503621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在硅晶片上印刻所需图案的高级光刻技术通常依赖于聚(甲基丙烯酸酯)光致抗 蚀剂聚合物中酯的酸-催化脱保护成酸,作为转移图案的关键化学反应以引起溶解度变化。 该催化过程,被称为化学增幅,通过辐射光敏试剂或光致产酸剂(PAG)所引发。光致抗蚀剂 聚合物中所用的PAG可以由两个部分组成磺酸盐阴离子,和通常具有至少一个芳族基团的 三(烃基)锍阳离子,其中,所述阳离子吸收光子并且分解生成酸质子,导致多重理想的酸-催化化学反应。磺酸过酸,例如,通常在2或3个硫原子键长...
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