技术编号:10513573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。与传统地石墨负极材料相比,硅具有超高的理论比容量(4200mAh/g)和较低的脱锂电位(<0.5V),且硅的电压平台略高于石墨,在充电时不容易发生表面析锂行为,安全性能更好,因此成为电池的负极材料新的研究方向。由于娃是半导体材料,作为电池负极材料时,自身电导率较低,锂离子在充放电过程中的嵌入和脱出会使硅体积发生300%以上的膨胀和收缩,会使粉体材料结构逐渐坍塌,最终导致电极活性物质与集流体脱离,导致电池循环性能大大降低。为改善娃材料的循环性能,提尚循...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。