技术编号：10513816
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。场致发射不需要外加能量就可使电子逸出发射体表面。在真空电子器件中，可利用场致电子发射体作为电子发射源，其主要工作原理是靠很强的外部电场来压抑物体表面的势皇，使势皇高度降低，宽度变窄，当势皇的宽度窄到可以同电子的波长相比拟时，电子通过隧道效应穿透势皇逸入真空而轰击阳极荧光粉发光。发射源发射出的电子带有固体内部和表面的许多信息，因此可以利用这些现象来制成各种电子能谱仪、材料分析仪器、传感器测试仪、CMOS器件和发光器件等领域均有广泛应用，尤其是在信息显示和平面...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。