技术编号：10513837
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 40多年来，集成电路技术按摩尔定律持续发展，特征尺寸不断缩小，集成度不断提 高。随着器件尺寸的不断减小，栅氧化层厚度随之减薄。当金属氧化物场效应晶体管 (M0SFET)的特征尺寸进入45纳米W后，栅氧化层厚度已减小到1.2纳米W下。如果仍采用 传统氧化娃或氮化氧化娃栅介质，直接隧穿电流将成指数规律急剧增加。因此，2007年，英 特尔公司在45纳米技术节点开始引入高介电常数栅介质和金属栅技术。在同样等效氧化层 厚度下，高介电常数材料具有更厚的物理厚度，使栅...
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