技术编号:10513849
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体器件集成度的不断提高,技术节点的降低,传统的栅介质层不断变薄, 晶体管漏电量随之增加,引起半导体器件功耗浪费等问题。为解决上述问题,现有技术提供 一种将金属栅极替代多晶娃栅极的解决方案。其中,"后栅(gate last)"工艺为形成高K 金属栅极晶体管的一个主要工艺。 阳00引所述"后栅,,工艺包括"先高KOii曲-K first),,和"后高KOii曲-K last),,两种 方法。其中,"先高K(hi曲-K first)"方法包括包括提供半...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。