技术编号:10513858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。制造MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管,Metal OxideSemiconductor),一种传统的做法是先进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区,然后形成侧墙,接着再进行源/漏注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区。然而,这种传统做法需要用到多次光刻和去胶步骤,制造工艺比较复杂,生产周期比较长,多次光刻和去胶步骤也导致产品制造成本较高。发明内容为了解决背景技术提到的制造工艺比较复杂、生产周期比较长和产品制造成本较高等问题中的至少一个,...
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