技术编号：10513860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中，鳍型场效应晶体管(FinFET)因其自身的优势而得到了广泛的应用。鳍型场效应晶体管不仅可以抑制短沟道效应(short-channeleffect ;SCE)，而且具有很多其他优势，例如可以采用自对准双重图形技术(self-aligned-double-patterning ； SADP)。然而，在现有的包括鳍型场效应晶体管的半导体器件的制造工艺中，由于选择比的问题，在对位于鳍型结构周围的介电层(隔离材料层)进行刻蚀形成凹槽(recess)的过程...
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