技术编号:10513870
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。众所周知,杂质元素污染尤其是金属杂质污染对半导体器件的性能影响非常之大,金属杂质污染水平的高低直接决定着CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)产品的白色像素水平,最终影响拍照效果。显然地,在半导体器件制造中对金属杂质污染的监测显得尤为重要。目前,业界对金属杂质污染的监控仅局限于使用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS),其存在自身的固有缺陷。例如,对浅层杂质元素的探测较为精准,但对深层杂质元素的探测却无法进行。其主要因为杂质元素位于...
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