基于SiC的超结半导体器件的制作方法技术资料下载

技术编号:10513998

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汽车、消费和工业应用中的现代器件的许多功能(诸如转换电能和驱动电马达或电机)依赖于半导体器件。例如,绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)、二极管和类似器件已经被用于包含但不限于电源和功率转换器中的开关的各种应用。为了改善此类半导体器件的开关性质和/或使用此类半导体器件的功率转换器的效率,已经介绍了所谓的超结结构。偶尔,具有此类超结结构的半导体器件也被称为“补偿器件”、“CoolMOS?器件”、“SJ器件”或“RESUR...
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