技术编号：10514002
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。异质结双极晶体管(HBT)具有良好的功率附加效率(PAE)和噪声系数特性，其特征频率ft高，高的基极掺杂将导致大的fmax和高的厄利电压(Early Voltage)，可控的高击穿电压将产生大功率密度，低的“knee”电压可产生大的功率效率。异质结双极晶体管其制备技术，特别是外延生长技术促进了异质结双极晶体管这一类半导体器件的发展和应用。目前，常用的异质结双极晶体管为铝镓砷(AlGaAs)异质结双极晶体管，但是铝镓砷异质结双极晶体管的线性度不及离子注入的M...
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