技术编号:10514005
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为了使TFET器件可以作为理想的开关器件应用在超低功耗电路中,所以TFET器件特征尺寸的缩小规律必须满足国际半导体技术发展路线(Internat1nal TechnologyRoadmap for Semiconductor,ITRS)。然而,随着器件特征尺寸的不断缩小,短沟道效应严重影响了器件的开关特性。由于TFET器件发生带带隧穿的区域很小,所以,即使在没有采用先进技术的情况下,传统的p-1-n结构TFET器件也具有良好的可伸缩性。然而,当TFET的特...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。