技术编号:10514054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。红外发光二极管由于其特定的波段,以及低功耗和高可靠性,被广泛应用于安全监控、穿戴式装置、空间通信、遥控、医疗器具、传感器用光源及夜间照明等领域。—般使用InGaAs作为活性层之多量子阱结构,发光峰波长在900nm以上的红外光发光二极管,覆盖层多使用非直接能隙的AlGaAs,其中Al属于活性大、容易氧化的原子,同时材料电阻率较高,使得电流扩散以及组件抗静电耐性较差。发明内容针对前述问题,本发明提出一种具有低带隙覆盖层的红外发光二极管,其以砷化镓GaAs或者砷...
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