技术编号：10514090
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 传统的L邸外延结构的生长方法(其结构详见图1)包括如下步骤 第一步、在1000-1300°c，反应腔压力维持在50-500torr的氨气气氛下高溫处理蓝 宝石衬底1，处理时间为5-10分钟； 第二步、降溫至550-650°C下，反应腔压力维持在100-50化orr，在蓝宝石衬底1上 生长厚度为10-40nm的低溫缓冲层2; 第Ξ步、升高溫度到1000-1200°C下，反应腔压力维持在100-50化orr，持续生长厚 度为2-4皿的不渗杂GaN层3; 第四...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。