多裸芯写入管理中的模式突破的制作方法技术资料下载

技术编号:10517834

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现在存在许多商业上成功的可用的非易失性存储器产品,其使用闪速EEPROM单元的阵列。闪速存储器系统的示例在图1中示出,其中存储器单元阵列I连同各种外围电路一一诸如列控制电路2、行控制电路3、数据输入/输出电路6等形成在存储器芯片12上。一种流行的闪速EEPROM架构利用NAND阵列,其中大量串的存储器单元通过在单独的位线和参考电势之间的一个或多个选择晶体管连接。图2A-2B示出了平面的NAND闪速存储器阵列的不例。在其它不例中,NAND串在可以被称为是二维...
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