技术编号:10517954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。碳化娃(SiC)半导体具有与作为以往的半导体材料的娃(Si)半导体或GaAs(砷化镓)半导体相比约10倍左右高的绝缘击穿电场强度,并且具有高导热性。因此,近年来,碳化硅半导体作为能够制作(制造)兼具耐压维持和小型化的功率器件用的M0SFET(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor绝缘棚.型场效应晶体管)的半导体材料备受注目。一般,MOSFET动作时的能量损耗主要由因漂移电阻(漂移层的电阻成分)、沟道...
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