技术编号:10526709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化铝(AlN)具有优异的导热性能(理论热导率为320W/(m.K)),实际值可达260W/(m.K)为氧化铝陶瓷的10?15倍),具有低的相对介电常数、可靠的电绝缘性、耐高温、耐腐蚀、无毒、良好的力学性能以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良性能,与硅和砷化镓等芯片材料相匹配的热膨胀系数、无毒、绝缘等一系列优异性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片、电子封装等散热器件的首选材料,在许多高的应用越来越广泛,尤其是在集成电路基片和电子封装材料以及微波吸收材料等方...
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