技术编号：10529382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 由于VGF (垂直梯度凝固）法生长单晶时温度梯度较低，生长速率较小，目前已成为生 长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。用VGF法生长锗单晶体之前需要经过以下步 骤（1)将籽晶放到前段PBN坩埚的嘴部，然后再装入锗锭，装完后将PBN(氮化硼)坩埚放入 石英管中，加上中环；（2)取后段PBN坩埚，往里装入锗锭之后，放到石英管中，装上封帽；（3) 将石英管放到真空烤炉上，抽完真空后进行封焊。 装料过程中所用到的锗锭、石英管（包括中环和封帽）、PBN坩埚及籽...
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