技术编号：10533263
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件的瞬时剂量率辐射效应是指暴露于瞬时的脉冲γ射线辐射下的半导体器件所表现出的电离辐射损伤，其机理是由于瞬时的电离脉冲辐射在半导体材料中激发电子一空穴对，这些光生载流子在被器件收集的过程中将产生瞬时光电流。当辐射剂量率增大到一定程度时，此光电流将可能等于甚至大于电路本身的电流信号，导致半导体器件性能退化甚至失效。因此，在半导体器件设计之前，研究其瞬时剂量率辐射效应具有至关重要的作用，有助于掌握其在辐射环境下的工作机理和失效原理，也为抗幅加固设计提供研...
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