技术编号：10536486
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在透明导电膜的高性能化中，低电阻化为重要的解决课题。代替氧化铟锡(Indium Tin 0xide，IT0)(掺铟氧化锡)等氧化物系透明导电膜，正致力于开发利用Ag/ITO等金属及 合金/氧化物纳米层叠化的低电阻透明导电膜。 例如，专利文献1中记载有一种透明导电性基材，其特征在于包含基板;透明导电 层，形成于所述基板上，且包含涂布有透明导电膜而成的图案部及所述基板露出的非图案 部;及高分子树脂层，包含折射率为1.4~1.6的树脂，并对所述非图案部进行填充...
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