技术编号：10536770
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通常，在图像传感器芯片中，像素单元的感光区域(PD)之间由P型掺杂区域进行隔离，因此，感光区域的设置深度往往取决于P型掺杂区域的深度，而P型掺杂区域的深度受限于P型离子注入的能量大小。对于一些要求感光区域位置较深的应用，例如大尺寸监控设备，如何在注入能量一定的前提下，提高P型掺杂区域的深度，是目前需要解决的问题。发明内容本发明的目的在于提供一种，提高P型掺杂区域的深度，适于隔离位置较深的感光区域。基于以上考虑，本发明提供一种，包括提供半导体衬底，定义像素区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。