技术编号:10536874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。多晶硅电阻根据掺杂类别分N型和P型两种。N型多晶硅电阻通常掺杂磷或者砷,而P型多晶硅电阻则掺硼。载流子在多晶硅中漂移受到的散射主要是晶格散射和电离杂质散射。载流子迀移率对晶格散射有负的温度系数,而对电离杂质散射有正的温度系数。对N型和P型多晶硅电阻,晶格散射是相似的。然而,由于磷原子和砷原子比硼原子大,N型多晶硅的杂质散射比P型多晶硅强。因此在较高掺杂浓度如大于lel9cm—3时,N型多晶硅的杂质散射超过晶格散射,电子迀移率表现出正温度系数,如图1A所示,...
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