技术编号：10536921
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，作为第三代宽带隙半导体材料，以GaN、InGaN、AlGaN为主的II1-V氮化物为代表的半导体器件研究备受科研工作者的关注，其在某些半导体器件领域取得重大突破及产业化的应用。研究表明，氮化镓的物理化学性能使其成为发光二极管，激光器，电子功率器件等光电子器件的优选材料。然而，氮化镓单晶衬底晶片的制备技术要求高，目前离大规模产业化还有一定距离，与氮化镓外延生长相匹配的材料仍处在探索和研究过程中。氮化镓基电子器件一般是以硅、蓝宝石、碳化硅等异质衬底上外...
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