技术编号：10536934
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。GaN基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，简称HEMT)具有高二维电子气浓度(Two Dimens1nal Electron Gas，简称2DEG)和高击穿电压，从而获得了科研机构和工业界的广泛关注。在保持低导通电阻的情况下，使击穿电压尽可能的高是目前GaN基HEMT器件研究的最大的挑战之一。GaN HEMT器件通常为平面型结构，当HEMT器件处于关断状态时，栅极施加负偏压，漏极施加正偏压，源极接地，会...
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