技术编号：10536955
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统的缩减表面场(RESURF)半导体器件是使用外延生长和注入工艺在半导体衬底上制造的。这种器件可以是垂直的(其中电流与半导体衬底的平面实质上垂直地流经器件)或水平的(其中电流贯穿器件流经衬底)。RESURF结构的典型示例包括二极管、晶体管(比如M0SFET)或具有通常被称为漂移区域的区域的硅可控整流器，该区域在具有远小于击穿电压的电压的反向偏置下耗尽。更高的反向偏置电压将导致相对平坦的场轮廓。这使得所述结构能够在其两端支持更大的电压，而不会像其他情况中那...
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