技术编号：10537510
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。已经进行作为发光器件或用于电子器件的光源的半导体激光器的研发。例如，专利文献I (日本未审专利申请公布N0.2007-300016)公开了一种采用氮化物型II1-V族化合物半导体的、能进行自脉动操作的半导体激光器。引证文献日本未审专利申请公布N0.2007-300016发明内容本发明人已经致力于采用氮化物半导体的半导体激光器的研究和研发，且已经对其性能提升进行了细致的研究。在这个过程中已经发现在结构方面还有进一步提升的空间，以便提升采用氮化半导体的半导体激...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。