技术编号:10540983
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,伴随着元件的高集成化,对单晶硅(Si)晶圆的高品质要求变得越发严格。这里所称的高品质,是指在元件工作的区域没有缺陷。存储器、逻辑元件等以往被大量制造的元件大多数在晶圆表面附近工作,因此一直以来要使表面附近无缺陷化。作为可实现其的晶圆,有外延晶圆、退火晶圆、从无缺陷结晶切出得到的PW(抛光晶圆)等。但是,最近从节能的观点考虑,功率元件等备受注目。在使用Si结晶制作这些元件的情况下,为了通入大量的电,沿晶圆的厚度方向通电的情况增多。因此,不仅仅是表层附...
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