技术编号：10541966
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 -般而言，晶体Si太阳能电池是在P型娃基板的一面上设置有η型娃层的结构的半 导体，将该η型娃层侧设为受光面、在该受光面侧的表面介由氮化娃膜等防反射膜设置与η 型娃层连接的表面电极。进而，上述的Ρ型娃基板的另一面设置背电极，取出由半导体的ρη 结产生的电力。为了提高受光效率设置上述的防反射膜，另一方面其具有比较高的电阻值， 因此通常针对表面电极与η型娃层的接触部分，将该防反射膜利用蚀刻、烙融来去除，进行 使η型娃层与表面电极的连接良好的操作。 作为去除上述...
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