技术编号:10544779
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着光电子领域对氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)的发光性能要求不断提高,从而对金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长GaN的蓝宝石(C1-Al2O3)衬底晶片的表面质量要求越来越严,这主要是因为蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响LED的质量和成品率。在目前的LED生产中,大尺寸蓝宝石衬底片仍有50%以上的废品是由于表面污染引起的,由于在衬底晶片生产中,几乎每道工序都有清洗问题,所以蓝宝石晶片清洗的好坏对LED的发光性能有严重的影响,处理不当...
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