技术编号：10548837
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 现有技术中，氟硅类疏水膜制备方法之一是通过浸涂后烘烤的方法制备，该方法 的缺点是工艺流程较长，需要消耗较多的氟硅烷原材料，烘烤温度较高，而一般塑胶材料无 法耐高温，造成成本较高和影响使用；制备方法之二是使用物理气相沉积(PVD)或化学气相 沉积(CVD)的方法制备。物理气相沉积制备疏水涂层的缺点是氟硅烷在沉积过程中没有发 生化学反应，所以涂层的结合力不好，耐磨性较差及使用寿命较短。化学气相沉积制备反应 气体容易造成氟硅烷的裂解，而影响疏水效果，并且沉积速...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。