技术编号:10548954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。浮区法作为一种生长晶体的区域提纯方法,主要用于高质量的半导体晶体生长。如果在微重力环境下应用该方法还可以得到大尺寸的单晶。因此浮区法成为空间材料制备中最有前景的方法之一。在现有研究实验中,用于模拟浮区法晶体生长过程的物理模型称为液桥。而液桥高径比对液桥内部流动和自由表面具有重要影响,因此我们通常需要根据实验情况调节液桥生成器的液桥直径,但传统液桥生成装置的液桥直径是不可调的,实验中必须更换整个液桥生成器,操作繁琐且成本较高。中国专利CN204738041公...
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