技术编号:10554029
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来多次可编程(Mult1-time program,MTP)存储电路由于其工艺简单、成本低、可多次擦写的特点开始逐渐地作为非易失性存储电路应用于集成电路设计中。现有的MTP存储电路主要包括浮栅型雪崩注入金属氧化物半导体(Floating gate Avalanche-1nject1n Metal-Oxide Semiconductor,FAM0S)型MTP存储电路。现有的FAMOS型MTP存储电路通常包括一个电流型的灵敏放大器,用于将MTP存储电路中的...
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